Các loại gốm varistor dựa trên oxit kẽm (ZnO), kết hợp với lượng Y2O3/CeO2 khác nhau, được sản xuất thông qua phương pháp phản ứng thể rắn hai bước bao gồm quá trình tiền xử lý và quá trình nung chảy sau đó. Bột ZnO và các chất phụ gia tương ứng được sử dụng làm nguyên liệu trong quá trình sản xuất. Việc nghiên cứu về thành phần pha, cấu trúc vi mô và tính chất điện được thực hiện thông qua các kỹ thuật như nhiễu xạ tia X (XRD), kính hiển vi điện tử quét (SEM) và đo điện trở dòng điện một chiều trực tiếp. Kết quả cho thấy rằng gốm varistor được nung ở 950°C, sử dụng bột được nung qua ở 800°C và pha trộn với lượng Y2O3 phù hợp, đã cho thấy tính chất điện được cải thiện. Ngược lại, việc thêm vào nồng độ khác nhau của CeO2 không góp phần cải thiện các đặc tính điện. Các mẫu được pha trộn với CeO2 hiển thị điện áp ngưỡng thấp hơn và hệ số phi tuyến chưa được cải thiện so với mẫu không pha trộn (M0). Việc thêm Y2O3 đã chứng tỏ hiệu quả trong việc cải thiện hệ số phi tuyến nhưng dẫn đến giảm khả năng chịu điện áp ngưỡng của các mẫu. Hàm lượng Y2O3 là 0,5% tương đối phù hợp, cân bằng cả hai yếu tố. Đáng chú ý, varistor ZnO pha trộn với 0,5 mol% Y2O3 đã cho thấy tính chất điện tổng hợp tối ưu, với giá trị Eb 620 V/mm và hệ số phi tuyến là 45. Những kết quả cho thấy rằng pha trộn Y2O3 hứa hẹn thu được được gốm varistor với hiệu suất điện được tăng cường, đặc biệt là giá trị hệ số phi tuyến.