no-4

Nghiên cứu diện tích mode hiệu dụng của sợi tinh thể quang tử lõi treo nền Ge20Sb5Se75 lỗ khí chứa carbon disulfide

Tác giả:
Chu Văn Lanh
Trang:
0
Lượt xem:
4
Số trong tạp chí:
5/5
Lượt tải:
1
Bài báo này trình bày nghiên cứu diện tích mode hiệu dụng và chiết suất hiệu dụng của sợi tinh thể quang tử lõi treo nền chalcogenide Ge20Sb5Se75 có lỗ khí chứa CS2, hướng tới các ứng dụng trong vùng hồng ngoại giữa. Bằng cách sử dụng Lumerical Mode Solutions, chúng tôi đã nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay đổi các thông số cấu trúc của sợi tinh thể quang tử trong hai chế độ phân cực (TE00 và TE100) trong dải bước sóng từ 1-5.5 µm. Kết quả chỉ ra rằng, phần thực của chiết suất hiệu dụng (R[neff]) có thể được điều chỉnh trên một dải rộng bằng cách thay đổi tỷ lệ độ rộng khe và bước sóng w/rc với các giá trị dao động từ 2.2016 đến 2.1889, trong khi diện tích mode hiệu dụng (Aeff) tăng theo bước sóng và chiều rộng khe, đạt giá trị từ 1.2692 đến 1.1215 µm2 ở 2050 nm. Ngoài ra, chúng tôi so sánh những kết quả này với một cấu trúc sợi tinh thể quang tử lõi treo lỗ không khí. Những kết quả này cung cấp cơ sở cho việc thiết kế tối ưu sợi Ge20Sb5Se75/CS2 cho các ứng dụng truyền dẫn phi tuyến...
Bài báo này trình bày nghiên cứu diện tích mode hiệu dụng và chiết suất hiệu dụng của sợi tinh thể quang tử lõi treo nền chalcogenide Ge20Sb5Se75 có lỗ khí chứa CS2, hướng tới các ứng dụng trong vùng hồng ngoại giữa. Bằng cách sử dụng Lumerical Mode Solutions, chúng tôi đã nghiên cứu ảnh hưởng của việc thay đổi các thông số cấu trúc của sợi tinh thể quang tử trong hai chế độ phân cực (TE00 và TE100) trong dải bước sóng từ 1-5.5 µm. Kết quả chỉ ra rằng, phần thực của chiết suất hiệu dụng (R[neff]) có thể được điều chỉnh trên một dải rộng bằng cách thay đổi tỷ lệ độ rộng khe và bước sóng w/rc với các giá trị dao động từ 2.2016 đến 2.1889, trong khi diện tích mode hiệu dụng (Aeff) tăng theo bước sóng và chiều rộng khe, đạt giá trị từ 1.2692 đến 1.1215 µm2 ở 2050 nm. Ngoài ra, chúng tôi so sánh những kết quả này với một cấu trúc sợi tinh thể quang tử lõi treo lỗ không khí. Những kết quả này cung cấp cơ sở cho việc thiết kế tối ưu sợi Ge20Sb5Se75/CS2 cho các ứng dụng truyền dẫn phi tuyến tính và hồng ngoại giữa.
Tin liên quan

Tạp chí khoa học Trường Đại học Vinh

Vinh University journal of science (VUJS)

ISSN: 1859 - 2228

Cơ quan chủ quản: Trường Đại học Vinh

  • Địa chỉ: 182 Lê Duẩn - Thành Phố Vinh - tỉnh Nghệ An
  • Điện thoại: (0238)3855.452 - Fax: (0238)3855.269
  • Email: vinhuni@vinhuni.edu.vn
  • Website: https://vinhuni.edu.vn

 

Giấy phép xuất bản tạp chí: 163/GP-BTTTT do Bộ Thông tin và Truyền thông cấp ngày 10/5/2023

Giấy phép truy cập mở: Creative Commons CC BY NC 4.0

 

LIÊN HỆ

Tổng biên tập: PGS.TS. Trần Bá Tiến 
Email: tientb@vinhuni.edu.vn

Phó Tổng biên tập: PGS.TS. Phan Văn Tiến
Email: vantienkxd@vinhuni.edu.vn

Thư ký tòa soạn: TS. Đỗ Mai Trang
Email: domaitrang@vinhuni.edu.vn

Ban thư ký và trị sự: ThS. Lê Tuấn Dũng, ThS. Phan Thế Hoa, ThS. Phạm Thị Quỳnh Nga, ThS. Trần Thị Thái

  • Địa chỉ Toà soạn: Tầng 4, Tòa nhà Điều hành, Số 182 Lê Duẩn, TP. Vinh, Nghệ An, Việt Nam
  • Điện thoại: (0238)3.856.700 | Hotline: 0973.856.700
  • Email: editors@vujs.vn
  • Website: https://vujs.vn

img