3A

Khả năng điều khiển phổ hấp thụ giữa các mức Landau của giếng lượng tử GaAs/AlGaAs

Tác giả:
Đoàn Thế Ngô Vinh, Nguyễn Thành Công
Lượt xem:
0
Số trong tạp chí:
0/0
Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu phổ hấp thụ giữa các vùng con trong giếng lượng tử đặt trong từ trường có phương nghiêng so với trục các lớp bán dẫn. Sự vi phạm quy tắc lọc lựa để đạt được các dịch chuyển quang học mong muốn có thể đạt được trong các cấu trúc từ giếng lượng tử có thế năng bất đối xứng. Vai trò quan trọng của các cấu trúc bất đối xứng để nâng cao hệ số hấp thụ trên các dịch chuyển quang học quan tâm được chứng minh.
Tin liên quan

Tạp chí khoa học Trường Đại học Vinh

Vinh University journal of science (VUJS)

ISSN: 1859 - 2228

Cơ quan chủ quản: Trường Đại học Vinh

  • Địa chỉ: 182 Lê Duẩn - Thành Phố Vinh - tỉnh Nghệ An
  • Điện thoại: (0238)3855.452 - Fax: (0238)3855.269
  • Email: vinhuni@vinhuni.edu.vn
  • Website: https://vinhuni.edu.vn

 

Giấy phép xuất bản tạp chí: 163/GP-BTTTT do Bộ Thông tin và Truyền thông cấp ngày 10/5/2023

Giấy phép truy cập mở: Creative Commons CC BY NC 4.0

 

LIÊN HỆ

Tổng biên tập: PGS.TS. Trần Bá Tiến 
Email: tientb@vinhuni.edu.vn

Phó Tổng biên tập: TS. Phan Văn Tiến
Email: vantienkxd@vinhuni.edu.vn

Thư ký tòa soạn: TS. Đỗ Mai Trang
Email: domaitrang@vinhuni.edu.vn

Ban thư ký và trị sự: ThS. Lê Tuấn Dũng, ThS. Phan Thế Hoa, ThS. Phạm Thị Quỳnh Nga, ThS. Trần Thị Thái

  • Địa chỉ Toà soạn: Tầng 4, Tòa nhà Điều hành, Số 182 Lê Duẩn, TP. Vinh, Nghệ An, Việt Nam
  • Điện thoại: (0238)3.856.700 | Hotline: 0973.856.700
  • Email: editors@vujs.vn
  • Website: https://vujs.vn

img